图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： BSD314SPE L6327
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSD314SPE L6327由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSD314SPE L6327价格参考。InfineonBSD314SPE L6327封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSD314SPE L6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSD314SPE L6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363MOSFET P-Channel -30V MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 1.5 A |
| Id-连续漏极电流 | - 1.5 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSD314SPE L6327OptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a3043321e49940132482ca5c6248a |
| 产品型号 | BSD314SPE L6327 |
| Pd-PowerDissipation | 500 mW |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| Qg-GateCharge | - 2.9 nC |
| Qg-栅极电荷 | - 2.9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 140 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 140 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 3.9 nS |
| 下降时间 | 2.8 nS |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 6.3µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 294pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 140 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-SOT363-6 |
| 其它名称 | BSD314SPE L6327-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 12.4 nS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.5A （Ta） |
| 系列 | BSD314 |
| 配置 | Single Quad Drain |
| 零件号别名 | BSD314SPEL6327HTSA1 SP000473008 |
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